page60
Время задержки увеличивается на 10 нс при возрастании ёмкости нагрузки на каждые 50
пФ до максимально 200 пФ для шины данных и 100 пФ для шин адреса и управления.
Дополнительные данные о времени
Вывод адреса до активизации /MREQ в циклах обращения к памяти:
t
acm
= t
w(CH)
+ t
F
– 65 нс
Вывод адреса до активизации /IORQ, /RD или /WR в циклах ввода/вывода:
t
ac1
= t
C
– 70 нс
Задержка адреса после снятия /RD или WR:
t
ca
= t
w(CL)
+ t
r
– 50 нс
Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние:
t
caf
= t
w(CL)
+ t
r
– 45 нс
Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти:
t
dcm
= t
C
– 170 нс
Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода:
t
ac1
= t
w(CL)
+ t
r
– 170 нс
Задержка данных после снятия /WR:
t
cdf
= t
w(CL)
+ t
r
– 70 нс
Ширина импульса низкого уровня /MREQ:
t
w(MRL)
= t
C
– 30 нс
Ширина импульса высокого уровня /MREQ:
t
w(MRH)
= t
w(CH)
+ t
F
– 20 нс
Ширина импульса низкого уровня /WR:
t
w(WRL)
= t
C
– 30 нс
Вывод /M1 до активизации /IORQ в цикле подтверждения прерывания:
t
M1
= 2t
C
+ t
w(CH)
+t
F
– 65 нс