Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-11 19:43] GreyWolf [7.2.3. Динамические характеристики Z80A] |
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-12 15:17] (текущий) GreyWolf |
||
---|---|---|---|
Строка 6: | Строка 6: | ||
{{anchor:n71}} | {{anchor:n71}} | ||
===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов ===== | ===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов ===== | ||
- | FIXME | ||
На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения: | На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения: | ||
Строка 26: | Строка 25: | ||
{{anchor:pict_7_3}} | {{anchor:pict_7_3}} | ||
{{pict_7_3.png|}} | {{pict_7_3.png|}} | ||
- | \\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0-A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR. | + | \\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0–A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR. |
{{anchor:pict_7_4}} | {{anchor:pict_7_4}} | ||
{{pict_7_4.png|}} | {{pict_7_4.png|}} | ||
- | \\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/выходов D0-D7 | + | \\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/выходов D0–D7 |
{{anchor:n72}} | {{anchor:n72}} | ||
Строка 48: | Строка 47: | ||
|Выходное напряжение| U<sub>OL</sub> | В | - | 0,4 | при I<sub>OL</sub>=1,8мA \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C \\ при \\ I<sub>OH</sub>=-0,25мA V<sub>m</sub>=0÷70°C | | |Выходное напряжение| U<sub>OL</sub> | В | - | 0,4 | при I<sub>OL</sub>=1,8мA \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C \\ при \\ I<sub>OH</sub>=-0,25мA V<sub>m</sub>=0÷70°C | | ||
| |||||| | | |||||| | ||
- | |Потребление тока| I<sub>CC</sub> | мА | - | 150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе - для Z80A.)) | при U<sub>CC</sub> =5B±5% и \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C | | + | |Потребление тока| I<sub>CC</sub> | мА | - | 150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе — для Z80A.)) | при U<sub>CC</sub> =5B±5% и \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C | |
|Входной ток утечки| I<sub>LI</sub> | мкА | - | 10 | при U<sub>I</sub>=0+U CC | | |Входной ток утечки| I<sub>LI</sub> | мкА | - | 10 | при U<sub>I</sub>=0+U CC | | ||
|Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| I<sub>LO</sub> | мкА | - | 10 | при \\ U<sub>O</sub>=0+U<sub>CC</sub> | | |Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| I<sub>LO</sub> | мкА | - | 10 | при \\ U<sub>O</sub>=0+U<sub>CC</sub> | | ||
Строка 73: | Строка 72: | ||
|Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| t<sub>а(BQ)</sub> | 80 | - | | |Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| t<sub>а(BQ)</sub> | 80 | - | | ||
|Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1| t<sub>а(D)</sub> | 50 | - | | |Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1| t<sub>а(D)</sub> | 50 | - | | ||
- | |Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2-M5| t<sub>ac(D)</sub> | 60 | - | | + | |Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2–M5| t<sub>ac(D)</sub> | 60 | - | |
|Задержка сигналов на шинах| t<sub>H</sub> | 0 | - | | |Задержка сигналов на шинах| t<sub>H</sub> | 0 | - | | ||
|Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI| t<sub>W(NMI)</sub> | 80 | - | | |Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI| t<sub>W(NMI)</sub> | 80 | - | | ||
Строка 125: | Строка 124: | ||
|Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | ||
|Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 210нС| | |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 210нС| | ||
- | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 210 нс| | + | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода–вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 210 нс| |
|Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub>= t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | |Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub>= t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | ||
|Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 40 нс| | |Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 40 нс| | ||
Строка 154: | Строка 153: | ||
Времена задержек | Времена задержек | ||
- | При U<sub>CC</sub>=5B±5%, C<sub>L</sub>=50 пФ и V<sub>m</sub>=0÷70oC. | + | При U<sub>CC</sub>=5B±5%, C<sub>L</sub>=50 пФ и V<sub>m</sub>=0÷70°C. |
^ Задержка ^ Обозначение ^ Максимальное значение (нс) ^ | ^ Задержка ^ Обозначение ^ Максимальное значение (нс) ^ | ||
|от H-L перехода такта до /M1=L| t<sub>DL(M1)</sub> | 100 | | |от H-L перехода такта до /M1=L| t<sub>DL(M1)</sub> | 100 | | ||
Строка 201: | Строка 200: | ||
|Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 45 нс| | |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 45 нс| | ||
|Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 170 нс| | |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 170 нс| | ||
- | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 170 нс| | + | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода–вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 170 нс| |
|Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 70 нс| | |Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 70 нс| | ||
|Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 30 нс| | |Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 30 нс| | ||
Строка 208: | Строка 207: | ||
|Вывод /M1 до активизации /IORQ в цикле подтверждения прерывания|t<sub>M1</sub> = 2t<sub>C</sub> + t<sub>w(CH)</sub> +t<sub>F</sub> - 65 нс| | |Вывод /M1 до активизации /IORQ в цикле подтверждения прерывания|t<sub>M1</sub> = 2t<sub>C</sub> + t<sub>w(CH)</sub> +t<sub>F</sub> - 65 нс| | ||
+ | {{anchor:pict_7_5}} | ||
+ | {{pict_7_5.png|}} | ||
+ | \\ Рис. 7.5. Временные характеристики МП Z80/Z80A (к [[#722|7.2.2]] и [[#723|7.2.3]]) | ||
+ | |||
+ | {{anchor:n724}} | ||
+ | ===== 7.2.4. Предельные значения ===== | ||
+ | |||
+ | Предельные значения даны при V<sub>a</sub> =0÷70°C. | ||
+ | |||
+ | ^ Параметр ^ Обозначение ^ Единица измерения ^ Минимальное значение (нс) ^ Максимальное значение (нс) ^ | ||
+ | |Рабочее напряжение| U<sub>CC</sub> | В | -0,3 | 7 | | ||
+ | |Входное напряжение| U<sub>I</sub> | В | -0,3 | 7 | | ||
+ | |Диапазон рабочей температуры| V<sub>a</sub> | °C | 0 | 70 | | ||
+ | |Диапазон температуры хранения| V<sub>atu</sub> | °C | -65 | 150 | | ||
+ | |Мощность рассеяния| P | Вт | - | 1,5 | | ||
+ | |||
+ | Существует несколько исполнений (указывается на корпусе): | ||
+ | |C|керамический корпус| | ||
+ | |P|пластмассовый корпус| | ||
+ | |S|стандартные условия эксплуатации (5В±5%, 0÷70°C)| | ||
+ | |E|расширенные условия эксплуатации (5В±5%, -40÷85°С)| | ||
+ | |M|военное исполнение (5В±10%, -55÷125°С)| | ||
+ | |||
+ | {{anchor:n73}} | ||
+ | ====== 7.3. Надежность ====== | ||
- | Рис. 7.5. Временные характеристики МП Z80/Z80A (к 7.2.2 и 7.2.3) | + | Интенсивность отказов: |
+ | \\ L<sub>PO,В</sub> < 5×10<sup>-5</sup> ч<sup>-1</sup> | ||
- | FIXME | + | При средней электрической нагрузке (рабочее напряжение U<sub>CC</sub> от 4,75 В до 5,25 В и |
+ | температуре окружающей среды V<sub>a</sub> < 50°С, нормальной климатической и механической нагрузке наработка на отказ 2 000 000 часов. | ||
---- | ---- |