Инструменты пользователя

Инструменты сайта


microprocessor_kit_z80-book1:07

Различия

Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
Следующая версия
Предыдущая версия
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-11 19:45]
GreyWolf
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-12 15:17] (текущий)
GreyWolf
Строка 6: Строка 6:
 {{anchor:​n71}} {{anchor:​n71}}
 ===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов ===== ===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов =====
-FIXME 
  
 На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения:​ На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения:​
Строка 26: Строка 25:
 {{anchor:​pict_7_3}} {{anchor:​pict_7_3}}
 {{pict_7_3.png|}} {{pict_7_3.png|}}
-\\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0-A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR.+\\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR.
  
 {{anchor:​pict_7_4}} {{anchor:​pict_7_4}}
 {{pict_7_4.png|}} {{pict_7_4.png|}}
-\\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/​выходов D0-D7+\\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/​выходов D0D7
  
 {{anchor:​n72}} {{anchor:​n72}}
Строка 48: Строка 47:
 |Выходное напряжение| ​ U<​sub>​OL</​sub> ​ |  В  |  -  |  0,4  |  при I<​sub>​OL</​sub>​=1,​8мA \\ V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C \\ при \\ I<​sub>​OH</​sub>​=-0,​25мA V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C ​ | |Выходное напряжение| ​ U<​sub>​OL</​sub> ​ |  В  |  -  |  0,4  |  при I<​sub>​OL</​sub>​=1,​8мA \\ V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C \\ при \\ I<​sub>​OH</​sub>​=-0,​25мA V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C ​ |
 | |||||| | ||||||
-|Потребление тока| ​ I<​sub>​CC</​sub> ​ |  мА  |  -  |  150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе ​для Z80A.)) ​ |  при U<​sub>​CC</​sub>​ =5B±5% и  \\  V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C ​ |+|Потребление тока| ​ I<​sub>​CC</​sub> ​ |  мА  |  -  |  150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе ​— для Z80A.)) ​ |  при U<​sub>​CC</​sub>​ =5B±5% и  \\  V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C ​ |
 |Входной ток утечки| ​ I<​sub>​LI</​sub> ​ |  мкА ​ |  -  |  10  |  при ​ U<​sub>​I</​sub>​=0+U CC  | |Входной ток утечки| ​ I<​sub>​LI</​sub> ​ |  мкА ​ |  -  |  10  |  при ​ U<​sub>​I</​sub>​=0+U CC  |
 |Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| ​ I<​sub>​LO</​sub> ​ |  мкА ​ |  -  |  10  |  при \\ U<​sub>​O</​sub>​=0+U<​sub>​CC</​sub> ​ | |Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| ​ I<​sub>​LO</​sub> ​ |  мкА ​ |  -  |  10  |  при \\ U<​sub>​O</​sub>​=0+U<​sub>​CC</​sub> ​ |
Строка 73: Строка 72:
 |Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| ​ t<​sub>​а(BQ)</​sub> ​ |  80  |  -  | |Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| ​ t<​sub>​а(BQ)</​sub> ​ |  80  |  -  |
 |Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1|  t<​sub>​а(D)</​sub> ​ |  50  |  -  | |Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1|  t<​sub>​а(D)</​sub> ​ |  50  |  -  |
-|Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2-M5|  t<​sub>​ac(D)</​sub> ​ |  60  |  -  |+|Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2M5|  t<​sub>​ac(D)</​sub> ​ |  60  |  -  |
 |Задержка сигналов на шинах| ​ t<​sub>​H</​sub> ​ |  0  |  -  | |Задержка сигналов на шинах| ​ t<​sub>​H</​sub> ​ |  0  |  -  |
 |Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI|  t<​sub>​W(NMI)</​sub> ​ |  80  |  -  | |Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI|  t<​sub>​W(NMI)</​sub> ​ |  80  |  -  |
Строка 125: Строка 124:
 |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<​sub>​caf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 60 нс| |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<​sub>​caf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 60 нс|
 |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<​sub>​dcm</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 210нС| |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<​sub>​dcm</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 210нС|
-|Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<​sub>​ac1</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 210 нс|+|Вывод данных до активизации /WR в циклах вводавывода|t<​sub>​ac1</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 210 нс|
 |Задержка данных после снятия /​WR|t<​sub>​cdf</​sub>​= t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 60 нс| |Задержка данных после снятия /​WR|t<​sub>​cdf</​sub>​= t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 60 нс|
 |Ширина импульса низкого уровня /​MREQ|t<​sub>​w(MRL)</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 40 нс| |Ширина импульса низкого уровня /​MREQ|t<​sub>​w(MRL)</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 40 нс|
Строка 154: Строка 153:
 Времена задержек Времена задержек
  
-При U<​sub>​CC</​sub>​=5B±5%,​ C<​sub>​L</​sub>​=50 пФ и V<​sub>​m</​sub>​=0÷70oC.+При U<​sub>​CC</​sub>​=5B±5%,​ C<​sub>​L</​sub>​=50 пФ и V<​sub>​m</​sub>​=0÷70°C.
 ^  Задержка ​ ^  Обозначение ​ ^  Максимальное значение (нс) ​ ^ ^  Задержка ​ ^  Обозначение ​ ^  Максимальное значение (нс) ​ ^
 |от H-L перехода такта до /​M1=L| ​ t<​sub>​DL(M1)</​sub> ​ |  100  | |от H-L перехода такта до /​M1=L| ​ t<​sub>​DL(M1)</​sub> ​ |  100  |
Строка 201: Строка 200:
 |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<​sub>​caf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 45 нс| |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<​sub>​caf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 45 нс|
 |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<​sub>​dcm</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 170 нс| |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<​sub>​dcm</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 170 нс|
-|Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<​sub>​ac1</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 170 нс|+|Вывод данных до активизации /WR в циклах вводавывода|t<​sub>​ac1</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 170 нс|
 |Задержка данных после снятия /​WR|t<​sub>​cdf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 70 нс| |Задержка данных после снятия /​WR|t<​sub>​cdf</​sub>​ = t<​sub>​w(CL)</​sub>​ + t<​sub>​r</​sub>​ - 70 нс|
 |Ширина импульса низкого уровня /​MREQ|t<​sub>​w(MRL)</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 30 нс| |Ширина импульса низкого уровня /​MREQ|t<​sub>​w(MRL)</​sub>​ = t<​sub>​C</​sub>​ - 30 нс|
Строка 210: Строка 209:
 {{anchor:​pict_7_5}} {{anchor:​pict_7_5}}
 {{pict_7_5.png|}} {{pict_7_5.png|}}
-\\ Рис. 7.5. Временные характеристики МП Z80/Z80A (к 7.2.2 и 7.2.3)+\\ Рис. 7.5. Временные характеристики МП Z80/Z80A (к [[#722|7.2.2]] и [[#723|7.2.3]]) 
 + 
 +{{anchor:​n724}} 
 +===== 7.2.4. Предельные значения ===== 
 + 
 +Предельные значения даны при V<​sub>​a</​sub>​ =0÷70°C. 
 + 
 +^  Параметр ​ ^  Обозначение ​ ^  Единица измерения ​ ^  Минимальное значение (нс) ​ ^  Максимальное значение (нс) ​ ^ 
 +|Рабочее напряжение| ​ U<​sub>​CC</​sub> ​ |  В  |  -0,3  |  7  | 
 +|Входное напряжение| ​ U<​sub>​I</​sub> ​ |  В  |  -0,3  |  7  | 
 +|Диапазон рабочей температуры| ​ V<​sub>​a</​sub> ​ |  °C  |  0  |  70  | 
 +|Диапазон температуры хранения| ​ V<​sub>​atu</​sub> ​ |  °C  |  -65  |  150  | 
 +|Мощность рассеяния| ​ P  |  Вт  |  -  |  1,5  | 
 + 
 +Существует несколько исполнений (указывается на корпусе):​ 
 +|C|керамический корпус| 
 +|P|пластмассовый корпус| 
 +|S|стандартные условия эксплуатации (5В±5%, 0÷70°C)| 
 +|E|расширенные условия эксплуатации (5В±5%, -40÷85°С)| 
 +|M|военное исполнение (5В±10%, -55÷125°С)| 
 + 
 +{{anchor:​n73}} 
 +====== 7.3. Надежность ====== 
 + 
 +Интенсивность отказов:​ 
 +\\ L<​sub>​PO,​В</​sub>​ < 5×10<​sup>​-5</​sup>​ ч<​sup>​-1</​sup>​
  
-FIXME+При средней электрической нагрузке (рабочее напряжение U<​sub>​CC</​sub>​ от 4,75 В до 5,25 В и 
 +температуре окружающей среды V<​sub>​a</​sub>​ < 50°С, нормальной климатической и механической нагрузке наработка на отказ 2 000 000 часов.
  
 ---- ----
microprocessor_kit_z80-book1/07.1594485907.txt.gz · Последние изменения: 2020-07-11 19:45 — GreyWolf