Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-11 19:55] GreyWolf [7.3. Надежность] |
microprocessor_kit_z80-book1:07 [2020-07-12 15:17] GreyWolf |
||
---|---|---|---|
Строка 6: | Строка 6: | ||
{{anchor:n71}} | {{anchor:n71}} | ||
===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов ===== | ===== 7.1.Схемы входных и выходных каскадов ===== | ||
- | FIXME | ||
На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения: | На приведенных ниже схемах приняты следующие обозначения: | ||
Строка 26: | Строка 25: | ||
{{anchor:pict_7_3}} | {{anchor:pict_7_3}} | ||
{{pict_7_3.png|}} | {{pict_7_3.png|}} | ||
- | \\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0-A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR. | + | \\ Рис. 7.3. Схема тристабильных выходов A0–A15, /MREQ, /IORQ, /RD и /WR. |
{{anchor:pict_7_4}} | {{anchor:pict_7_4}} | ||
{{pict_7_4.png|}} | {{pict_7_4.png|}} | ||
- | \\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/выходов D0-D7 | + | \\ Рис. 7.4. Схема тристабильных входов/выходов D0–D7 |
{{anchor:n72}} | {{anchor:n72}} | ||
Строка 48: | Строка 47: | ||
|Выходное напряжение| U<sub>OL</sub> | В | - | 0,4 | при I<sub>OL</sub>=1,8мA \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C \\ при \\ I<sub>OH</sub>=-0,25мA V<sub>m</sub>=0÷70°C | | |Выходное напряжение| U<sub>OL</sub> | В | - | 0,4 | при I<sub>OL</sub>=1,8мA \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C \\ при \\ I<sub>OH</sub>=-0,25мA V<sub>m</sub>=0÷70°C | | ||
| |||||| | | |||||| | ||
- | |Потребление тока| I<sub>CC</sub> | мА | - | 150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе - для Z80A.)) | при U<sub>CC</sub> =5B±5% и \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C | | + | |Потребление тока| I<sub>CC</sub> | мА | - | 150/200((в числителе — для Z80, в знаменателе — для Z80A.)) | при U<sub>CC</sub> =5B±5% и \\ V<sub>m</sub>=0÷70°C | |
|Входной ток утечки| I<sub>LI</sub> | мкА | - | 10 | при U<sub>I</sub>=0+U CC | | |Входной ток утечки| I<sub>LI</sub> | мкА | - | 10 | при U<sub>I</sub>=0+U CC | | ||
|Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| I<sub>LO</sub> | мкА | - | 10 | при \\ U<sub>O</sub>=0+U<sub>CC</sub> | | |Ток утечки трёхстабильного выхода в высокоомном состоянии| I<sub>LO</sub> | мкА | - | 10 | при \\ U<sub>O</sub>=0+U<sub>CC</sub> | | ||
Строка 73: | Строка 72: | ||
|Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| t<sub>а(BQ)</sub> | 80 | - | | |Установка сигнала /BUSRQ до L-H перехода такта| t<sub>а(BQ)</sub> | 80 | - | | ||
|Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1| t<sub>а(D)</sub> | 50 | - | | |Установка данных до L-H перехода такта в цикле M1| t<sub>а(D)</sub> | 50 | - | | ||
- | |Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2-M5| t<sub>ac(D)</sub> | 60 | - | | + | |Установка данных до H-L перехода такта в циклах M2–M5| t<sub>ac(D)</sub> | 60 | - | |
|Задержка сигналов на шинах| t<sub>H</sub> | 0 | - | | |Задержка сигналов на шинах| t<sub>H</sub> | 0 | - | | ||
|Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI| t<sub>W(NMI)</sub> | 80 | - | | |Ширина импульса низкого уровня сигнала /NMI| t<sub>W(NMI)</sub> | 80 | - | | ||
Строка 125: | Строка 124: | ||
|Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | ||
|Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 210нС| | |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 210нС| | ||
- | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 210 нс| | + | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода–вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 210 нс| |
|Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub>= t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | |Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub>= t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 60 нс| | ||
|Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 40 нс| | |Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 40 нс| | ||
Строка 201: | Строка 200: | ||
|Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 45 нс| | |Задержка адреса после снятия /RD или /WR при переходе в третье состояние|t<sub>caf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 45 нс| | ||
|Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 170 нс| | |Вывод данных до активизации /WR в циклах обращения к памяти|t<sub>dcm</sub> = t<sub>C</sub> - 170 нс| | ||
- | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода-вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 170 нс| | + | |Вывод данных до активизации /WR в циклах ввода–вывода|t<sub>ac1</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 170 нс| |
|Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 70 нс| | |Задержка данных после снятия /WR|t<sub>cdf</sub> = t<sub>w(CL)</sub> + t<sub>r</sub> - 70 нс| | ||
|Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 30 нс| | |Ширина импульса низкого уровня /MREQ|t<sub>w(MRL)</sub> = t<sub>C</sub> - 30 нс| | ||
Строка 239: | Строка 238: | ||
При средней электрической нагрузке (рабочее напряжение U<sub>CC</sub> от 4,75 В до 5,25 В и | При средней электрической нагрузке (рабочее напряжение U<sub>CC</sub> от 4,75 В до 5,25 В и | ||
температуре окружающей среды V<sub>a</sub> < 50°С, нормальной климатической и механической нагрузке наработка на отказ 2 000 000 часов. | температуре окружающей среды V<sub>a</sub> < 50°С, нормальной климатической и механической нагрузке наработка на отказ 2 000 000 часов. | ||
- | |||
- | FIXME | ||
---- | ---- |